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  • 型号: MGP4N60E
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MGP4N60E由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MGP4N60E价格参考。ON SemiconductorMGP4N60E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MGP4N60E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MGP4N60E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MGP4N60E 是一款由 MagnaChip(现属韩国SK hynix)生产的600V、4A额定电流的N沟道增强型高压MOSFET,采用TO-220封装。其典型应用场景包括:

1. 开关电源(SMPS):广泛用于AC-DC适配器、PC电源、LED驱动电源等,作为主功率开关管,利用其低导通电阻(Rds(on) ≈ 2.5Ω)和快速开关特性提升效率。

2. LED照明驱动:适用于隔离/非隔离式LED恒流驱动电路,支持PWM调光与高频工作(可达100kHz以上),满足节能与小型化需求。

3. 家电控制:用于电磁炉、微波炉、变频空调等设备的功率控制模块,承担IGBT替代角色(在中小功率段),实现高效、可靠的高频开关。

4. 工业电源与UPS:在中小功率(<200W)DC-DC变换器、后备电源中用作同步整流或主开关器件,具备良好的雪崩耐受能力(UIS额定),提升系统可靠性。

5. 电机驱动:适用于小功率无刷直流(BLDC)电机或步进电机的H桥驱动单元,尤其在风扇、水泵等家用/轻工设备中。

注意:该器件为单管MOSFET(非IGBT),不适用于大电流硬开关或高di/dt工况;设计时需配合合适栅极驱动(推荐10–15V驱动电压)及散热措施(TO-220需加散热片)。实际应用中应参考官方Datasheet进行SOA(安全工作区)校核与热设计。
产品参数 图文手册 常见问题
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