Datasheet下载- 型号： MD7P19130HSR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MD7P19130HSR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MD7P19130HSR5价格参考。Freescale SemiconductorMD7P19130HSR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MD7P19130HSR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MD7P19130HSR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MD7P19130HSR5 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频（RF）LDMOS 功率晶体管，专为 1.8–2.2 GHz 频段设计（典型工作频段：1930–1990 MHz），采用气腔封装（Overmolded Air Cavity），具备高增益、高效率和优异热稳定性。 主要应用场景包括： - 4G LTE 基站功率放大器（PA）：适用于宏基站（Macrocell）和分布式基站（DAS）中的末级功放模块，支持高线性度调制（如64-QAM/256-QAM），满足ACLR与EVM严苛指标； - 5G Sub-6 GHz 前传/微基站（Small Cell）：在2.1 GHz频段（如B1/B34/B39）中用于中等功率输出（典型Pout = 130 W @ 1960 MHz, 30 V），兼顾效率（>55%）与带宽； - 无线通信基础设施：如直放站、室内覆盖系统及TDD/FDD双工架构中的宽带射频功放子系统； - 工业与专用通信系统：如公共安全无线网络（FirstNet）、专网LTE（e.g., TETRA演进系统）及广播辅助链路。 该器件支持单载波或多载波（MC-WCDMA/LTE）连续波或脉冲工作模式，内置ESD保护与高可靠性设计，适配NXP推荐的匹配电路与偏置方案，广泛应用于电信设备制造商（OEM）的高集成度PA模块中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH RF 28V 40W NI780HS-4 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MD7P19130HSR5 |
| PCN过时产品 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN14260.htm |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780HS-4 |
| 功率-输出 | 130W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | - |
| 封装/外壳 | NI-780HS-4 |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.25A |
| 频率 | 1.93GHz ~ 1.99GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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