Datasheet下载- 型号： MD7P19130HSR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
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MD7P19130HSR3 是 NXP Semiconductors 推出的高性能射频（RF）LDMOS 功率晶体管，专为 1.9–2.2 GHz 频段设计，典型应用包括： - 5G 宏基站（Sub-6 GHz）发射链路：适用于 2.1 GHz 频段（如 B1/B34/B39）的功率放大器（PA），支持高线性度和宽带宽需求，满足 5G NR 的高阶调制（如 256-QAM）要求。 - LTE-A 基站（4G）：广泛用于 2.1 GHz 频段的远程射频单元（RRU）和宏蜂窝基站，提供高达 130 W（峰值）输出功率与优异的ACLR/ACPR性能。 - 小基站（Metrocell / Microcell）与有源天线系统（AAS）：凭借紧凑封装（SOT-1228）、高效率（典型 PAE > 45% @ 2.14 GHz）及良好热稳定性，适合空间受限、需高效散热的紧凑型射频模块。 - 无线基础设施测试设备与宽带功放模块：在射频信号发生器、EMC 测试功放等场景中作为宽带驱动级或末级放大器件。 该器件采用先进 LDMOS 工艺，集成 ESD 保护，支持 28 V 单电源供电，具备高增益（>18 dB）、低失真和优异长期可靠性，符合通信设备严苛的工业标准（如 AEC-Q100 认证兼容设计）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH RF 28V 40W NI780HS-4 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MD7P19130HSR3 |
| PCN过时产品 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN15548.htm |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780HS-4 |
| 功率-输出 | 130W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | - |
| 封装/外壳 | NI-780HS-4 |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.25A |
| 频率 | 1.93GHz ~ 1.99GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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