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- 型号： MD7IC18120NR1
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MD7IC18120NR1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MD7IC18120NR1价格参考。Freescale SemiconductorMD7IC18120NR1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MD7IC18120NR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MD7IC18120NR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MD7IC18120NR1 是 NXP Semiconductors 推出的一款高性能 GaN（氮化镓）射频功率放大器，工作频率范围为 1.8–2.2 GHz，典型输出功率达 120 W（连续波），适用于高效率、高线性度的宽带射频应用。其主要应用场景包括： - 5G 宏基站（Sub-6 GHz）发射链路：特别适配 2.1 GHz 频段（如 B1/B34/B39），用于大规模 MIMO 和多载波信号放大，支持高阶调制（如 256-QAM）所需的宽瞬时带宽与优异 ACLR 性能。 - 宽带无线接入系统（如 WTTx、固定无线接入 FWA）：在 2 GHz 左右频段提供高增益（约 17 dB）和高功率附加效率（PAE > 60%），满足 CPE 基站侧远距离覆盖需求。 - 军用/航空通信与雷达激励级放大：凭借 GaN 的高耐压、高结温（Tj ≤ 225°C）及良好热稳定性，可用于坚固型战术电台或 L/S 波段雷达的中功率驱动级。 - 广播与专业无线设备：如数字电视发射机（DVB-T/T2）、公共安全通信基站的末级或末前级放大模块。 该器件采用紧凑型 NI-780S 封装，集成输入/输出匹配电路与ESD保护，简化 PCB 设计；支持偏置可调以平衡线性度与效率，适合工业级温度范围（−40°C 至 +105°C）。需配合 NXP 推荐的驱动级（如 MW6S010N）及散热方案使用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 射频/IF 和 RFID |
| 描述 | IC PWR AMP RF LDMOS TO270-16 |
| 产品分类 | RF 放大器 |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| P1dB | 50.8dBm（120W） |
| 产品型号 | MD7IC18120NR1 |
| RF类型 | W-CDMA |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | TO-270 WBL-16 |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 25.8dB |
| 封装/外壳 | TO-270-16 变式， 扁平引线 |
| 标准包装 | 500 |
| 测试频率 | 1.88GHz |
| 电压-电源 | 28V |
| 电流-电源 | - |
| 频率 | 1.805GHz ~ 1.88GHz |
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