Datasheet下载- 型号： MCP14E9T-E/SN
- 制造商： Microchip
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MCP14E9T-E/SN由Microchip设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MCP14E9T-E/SN价格参考。MicrochipMCP14E9T-E/SN封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MCP14E9T-E/SN参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MCP14E9T-E/SN 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MCP14E9T-E/SN 是 Microchip Technology 推出的一款高性能双通道高速 MOSFET 栅极驱动器（PMIC 类别），采用 SOIC-8 封装，具有 4A 峰值拉电流/灌电流能力、29ns 典型传播延迟和优异的抗干扰性（dV/dt 抗扰度达 ±50 V/ns）。其典型应用场景包括： - 中小功率开关电源（SMPS）：如 AC-DC 适配器、DC-DC 模块中驱动同步整流 MOSFET 或高压侧/低压侧开关管，提升效率与动态响应； - 电机驱动系统：适用于 BLDC（无刷直流）或步进电机的栅极驱动级，尤其在 24V–48V 工业风扇、泵类及小型伺服控制器中，配合外部半桥/全桥拓扑使用； - LED 驱动与照明电源：用于高调光比、高频 PWM 调光的升压/降压恒流驱动电路，确保 MOSFET 快速开关以降低开关损耗； - 电池管理系统（BMS）保护电路：驱动保护 MOSFET 实现过流/短路快速关断（<100ns 响应）； - 工业自动化接口模块：作为隔离后级驱动器（搭配数字隔离器如 ISO1540），驱动 IGBT 或 SiC/GaN 功率器件的门极。 该器件支持独立输入（IN1/IN2）、宽工作电压（4.5V–18V）、-40°C 至 +125°C 工业级温度范围，并具备欠压锁定（UVLO）和热关断保护，适用于对可靠性、紧凑性和开关速度要求较高的中端功率电子系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC MOSFET DRIVER 3A 8SOIC |
| 产品分类 | PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 |
| 品牌 | Microchip Technology |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MCP14E9T-E/SN |
| PCN组件/产地 | http://www.microchip.com/mymicrochip/NotificationDetails.aspx?id=5774&print=view |
| PCN设计/规格 | http://www.microchip.com/mymicrochip/NotificationDetails.aspx?id=5704&print=view |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 工作温度 | -40°C ~ 125°C |
| 延迟时间 | 45ns |
| 标准包装 | 3,300 |
| 电压-电源 | 4.5 V ~ 18 V |
| 电流-峰值 | 3A |
| 输入类型 | 反相 |
| 输出数 | 2 |
| 配置 | 低端 |
| 配置数 | 2 |
| 高压侧电压-最大值（自举） | - |
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