【未分类_MCH6617-TL-E】封装/厂家_MCH6617-TL-E中文资料_价格

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型号： MCH6617-TL-E
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MCH6617-TL-E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MCH6617-TL-E价格参考。ON SemiconductorMCH6617-TL-E封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MCH6617-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MCH6617-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MCH6617-TL-E 是罗姆（ROHM）推出的双通道N沟道增强型MOSFET，采用小型TSMT6封装，专为高频、高效率射频开关与功率控制应用优化。其典型应用场景包括：  
1. 智能手机与5G移动终端：作为天线调谐开关或主/分集天线切换开关（Antenna Tuning Switch / Diversity Switch），支持多频段（Sub-6 GHz）射频信号的低插损、高隔离度切换；  
2. 无线通信模块：用于Wi-Fi 6/6E（2.4/5/6 GHz）、蓝牙（BLE）及NB-IoT等射频前端（RFFE）中的T/R切换、PA输出匹配网络控制；  
3. 射频功率放大器（PA）偏置控制：利用其低导通电阻（Rds(on) ≈ 0.22 Ω @ Vgs=4.5V）和快速开关特性（tON/tOFF < 10 ns），实现PA级间偏置电压的精准动态调节；  
4. 小型化射频模组：得益于TSMT6超小尺寸（2.0×2.0×0.65 mm）与双通道集成结构，可节省PCB面积，适用于紧凑型IoT设备、可穿戴设备及TDD-LTE/FDD-LTE射频收发模块。  
该器件具备良好的ESD防护（HBM ±2000 V）、低栅极电荷（Qg ≈ 1.8 nC）及宽工作温度范围（–55°C 至 +150°C），适配严苛的移动射频环境。需注意其非专用于大功率连续波（CW）放大，主要定位为中低功率（<1 W）、高频率（DC–3 GHz）开关与控制用途。

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