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详细数据请看参考数据手册
- 型号： MCH6337-TL-E
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MCH6337-TL-E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MCH6337-TL-E价格参考。ON SemiconductorMCH6337-TL-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MCH6337-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MCH6337-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MCH6337-TL-E 是安森美（ON Semiconductor）推出的双N沟道增强型功率MOSFET（采用共漏极配置的双芯片封装，实际为两个独立N沟道MOSFET集成于SOT-723超小型封装中，但数据手册明确归类为“单个”器件，常用于同步整流或半桥驱动中的上下管配对应用）。其典型参数包括：VDS = 30 V，ID（连续）= 0.85 A（Ta=25°C），RDS(on)低至约140 mΩ（VGS=4.5 V），具备快速开关特性与低栅极电荷。 主要应用场景包括： 1. 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、智能手表中的DC-DC同步降压转换器（Buck Converter）次级侧同步整流，提升转换效率并减小发热； 2. 电池供电系统保护电路：用于锂离子电池充放电路径控制、电子保险丝（eFuse）或负载开关，利用其低导通电阻和小尺寸实现紧凑设计； 3. LED驱动与背光控制：在小型LCD/OLED屏背光驱动中作为PWM调光开关； 4. 工业与IoT传感器节点：在空间受限的微功率系统中用作高效、低静态电流的电源通断开关。 其SOT-723封装（尺寸仅1.2×0.8×0.5 mm）特别适合高密度PCB布局，配合安森美成熟的工艺，确保可靠性和热稳定性。需注意：虽标为“单个”，但该型号实为双MOSFET结构，设计时应参考官方数据手册确认引脚定义及并联/半桥使用方式。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 4.5 A |
| Id-连续漏极电流 | - 4.5 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | MOSFET |
| 产品分类 | 分离式半导体 |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor MCH6337-TL-E |
| 产品型号 | MCH6337-TL-E |
| Pd-PowerDissipation | 1.5 W |
| Pd-功率耗散 | 1.5 W |
| Qg-GateCharge | 7.3 nC |
| Qg-栅极电荷 | 7.3 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 85 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 85 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| 上升时间 | 45 ns |
| 下降时间 | 63 ns |
| 产品种类 | MOSFET |
| 典型关闭延迟时间 | 69 ns |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/箱体 | MCPH-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 系列 | MCH6337 |
| 配置 | Single |
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