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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MCH3382-TL-H由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MCH3382-TL-H价格参考。ON SemiconductorMCH3382-TL-H封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MCH3382-TL-H参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MCH3382-TL-H 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ONS品牌的MCH3382-TL-H是一款P沟道增强型MOSFET(单个晶体管),采用SOT-723超小型封装,具有低导通电阻(Rds(on)典型值约190mΩ @ Vgs = −4.5V)、低栅极电荷(Qg ≈ 1.1nC)及低阈值电压(Vgs(th):−0.5V至−1.2V),适合低压、小电流开关应用。 其典型应用场景包括: 1. 便携式电子设备电源管理:如智能手机、TWS耳机、智能手表中的负载开关或电池保护电路,用于控制外设供电通断,实现低功耗待机; 2. LED驱动与背光控制:在小型显示屏或指示灯电路中作为高效、快速响应的开关元件; 3. DC-DC转换器次级侧同步整流(低压轻载场景)或升压/降压电路中的辅助开关; 4. USB接口过压/过流保护模块中的反向阻断或热插拔控制; 5. IoT传感器节点的电源域隔离,利用其低静态电流和快速关断特性延长电池寿命。 该器件额定电压为−20V,连续漏极电流ID为−0.5A(Ta=25℃),适用于≤20V系统、峰值电流不高的场合。其微型封装(0.8×0.6×0.35mm)特别适合空间受限的高密度PCB设计。需注意P沟道特性,常用于高边开关(源极接输入电压),驱动简单(逻辑低电平导通),但需匹配MCU GPIO电平兼容性(支持1.8V/3.3V逻辑驱动)。 综上,MCH3382-TL-H主要面向微型化、低功耗、中低电压(≤20V)的智能终端电源控制场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 2A 12V MCPH3MOSFET PCH 1.5V DRIVE SERIES |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极,1.2V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 2 A |
| Id-连续漏极电流 | - 2 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor MCH3382-TL-H- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MCH3382-TL-H |
| Pd-PowerDissipation | 0.8 W |
| Pd-功率耗散 | 800 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 198 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 198 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 12 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 12 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 170 pF @ 6V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 2.3nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 198 毫欧 @ 1A,4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 3-MCPH |
| 功率-最大值 | 800mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
| 封装/箱体 | MCPH-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 12V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2A (Ta) |
| 系列 | MCH3382 |