图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MCH3322-EBM-TL-E由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MCH3322-EBM-TL-E价格参考。ON SemiconductorMCH3322-EBM-TL-E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MCH3322-EBM-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MCH3322-EBM-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MCH3322-EBM-TL-E 是安森美(ON Semiconductor)推出的P沟道增强型MOSFET,采用超小型SC-88(SOT-363)封装,具有低导通电阻(Rds(on)典型值仅150mΩ @ Vgs = –4.5V)、低栅极电荷(Qg ≈ 2.3nC)及快速开关特性。其主要应用场景包括: 1. 便携式电子设备电源管理:如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中的负载开关与电池保护电路,利用其低功耗和小尺寸优势实现高效启停控制; 2. DC-DC转换器同步整流:在降压(Buck)转换器中作为同步整流管(尤其适用于轻载高效率需求),提升转换效率并减小发热; 3. LED驱动与背光控制:用于中小功率LED的电流开关或PWM调光路径,响应快、无反向恢复损耗; 4. 接口/IO保护电路:配合N沟道MOSFET构成双路反向阻断或电平位移电路,用于USB、I²C等总线隔离或电压域切换; 5. 电机驱动辅助开关:在微型直流电机或振动马达的H桥或单边驱动中用作上桥臂(P-MOS)或使能控制开关。 该器件额定电压–20V,连续漏极电流–1.5A(Ta=25℃),支持无铅回流焊,符合AEC-Q200可靠性标准(部分批次),亦适用于工业与消费类高密度PCB设计。其紧凑封装与低驱动要求特别适合空间受限、电池供电的低功耗系统。