Datasheet下载- 型号： MC33153DR2
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MC33153DR2由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MC33153DR2价格参考。ON SemiconductorMC33153DR2封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MC33153DR2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MC33153DR2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的MC33153DR2是一款双通道高压栅极驱动器，属于PMIC - 栅极驱动器类别。该器件主要用于驱动功率MOSFET和IGBT等功率开关器件，广泛应用于需要高效率、高可靠性的电源管理系统中。 典型应用场景包括：开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动系统、逆变器以及工业控制设备。其双通道设计支持高低边驱动，具备独立输入控制，可实现半桥或全桥拓扑结构中的精确时序控制。MC33153DR2集成电平移位电路，能够直接驱动高侧N沟道MOSFET，从而提升系统效率并降低功耗。 此外，该芯片具有较宽的工作电压范围和较强的抗噪声能力，适合在工业环境、汽车电子系统（如车载电源模块）及消费类高功率设备中使用。内置的欠压锁定（UVLO）保护功能可防止器件在电源不稳定时误操作，增强系统安全性。同时，它还具备低传播延迟和快速响应特性，适用于高频开关应用。 封装形式为SOIC-8（D型），便于自动化生产与散热管理，适合紧凑型电路设计。综上，MC33153DR2是一款高性能、高集成度的栅极驱动器，适用于对稳定性与效率要求较高的中高功率电子系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC DRIVER GATE SINGLE IGBT 8SOIC |
| 产品分类 | PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MC33153DR2 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 其它名称 | MC33153DR2OSCT |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 工作温度 | -40°C ~ 105°C |
| 延迟时间 | 80ns |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-电源 | 11.7 V ~ 20 V |
| 电流-峰值 | 1A |
| 输入类型 | 反相 |
| 输出数 | 1 |
| 配置 | 低端 |
| 配置数 | 1 |
| 高压侧电压-最大值（自举） | - |
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