Datasheet下载- 型号： MC10EP11DR2G
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MC10EP11DR2G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MC10EP11DR2G价格参考。ON SemiconductorMC10EP11DR2G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MC10EP11DR2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MC10EP11DR2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的MC10EP11DR2G是一款属于时钟缓冲器和驱动器类别的高性能芯片，主要用于时钟信号的分配与增强。它基于ECL（Emitter-Coupled Logic，发射极耦合逻辑）技术，具有高速、低抖动的特点，适用于对时钟精度和稳定性要求较高的系统。 该芯片的典型应用场景包括： 1. 通信设备：如基站、光模块、路由器和交换机等，用于提供稳定的时钟信号分配，确保数据传输的同步性和可靠性。 2. 测试与测量仪器：在高精度示波器、频谱分析仪等设备中，作为时钟缓冲器使用，提升系统时钟的完整性。 3. 工业控制系统：用于工业自动化设备中的时钟同步电路，提高系统运行的稳定性。 4. 服务器与高性能计算设备：为多处理器或高速接口提供低相位噪声的时钟分配解决方案。 5. 视频与广播设备：在高清视频处理系统中，用于确保视频信号的同步与稳定输出。 MC10EP11DR2G支持多路差分输出，适用于高频环境，工作频率可高达1GHz以上，且具有良好的相位噪声性能和驱动能力，适合构建高性能时钟树结构。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC CLK BUFFER 1:2 3GHZ 8SOIC |
| 产品分类 | 时钟/计时 - 时钟缓冲器，驱动器 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MC10EP11DR2G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 10EP |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 差分-输入:输出 | 是/是 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 比率-输入:输出 | 1:2 |
| 电压-电源 | 3 V ~ 5.5 V |
| 电路数 | 1 |
| 类型 | 扇出缓冲器（分配） |
| 输入 | ECL，PECL |
| 输出 | ECL，PECL |
| 频率-最大值 | 3GHz |
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