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详细数据请看参考数据手册
- 型号： MBT6429DW1T1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MBT6429DW1T1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MBT6429DW1T1价格参考。ON SemiconductorMBT6429DW1T1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MBT6429DW1T1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MBT6429DW1T1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的MBT6429DW1T1是一款双极性晶体管阵列（BJT阵列），内部集成了两个NPN型晶体管，采用SOT-23-6小型封装，适用于空间受限的便携式电子设备。该器件具有良好的开关和放大性能，常用于低功耗、高密度的电路设计中。 典型应用场景包括： 1. 信号放大电路：在音频或传感器信号调理电路中，利用其线性放大特性提升微弱信号。 2. 开关控制：广泛应用于LED驱动、继电器控制、电源管理等开关电路中，实现高效通断控制。 3. 逻辑电平转换：在数字系统中用于不同电压逻辑之间的接口转换，如MCU与外围器件间的电平匹配。 4. 便携式电子产品：因其小尺寸和低功耗特性，常见于智能手机、可穿戴设备、无线模块等消费类电子产品中。 5. 工业控制与通信设备：用于接口电路、脉冲信号处理及小型继电器驱动等场合。 MBT6429DW1T1具备较高的可靠性与温度稳定性，适合在工业级温度范围（-55°C 至 150°C）内工作，满足多种严苛环境下的应用需求。其集成化设计有助于减少PCB面积、简化电路布局，提高系统整体可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS DUAL NPN 45V 200MA SOT363 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MBT6429DW1T1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 600mV @ 5mA，100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 500 @ 100µA， 5V |
| 供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 晶体管类型 | 2 NPN（双） |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 45V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 200mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA |
| 频率-跃迁 | 700MHz |
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