Datasheet下载- 型号： MBT3904DW1T1
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MBT3904DW1T1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MBT3904DW1T1价格参考。ON SemiconductorMBT3904DW1T1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MBT3904DW1T1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MBT3904DW1T1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MBT3904DW1T1 是安森美（ON Semiconductor）推出的双极结型晶体管（BJT）阵列，采用SOT-363（SC-70-6）封装，内置两个独立的NPN型晶体管（共发射极配置），参数与经典2N3904一致（如VCEO=40V，IC=200mA，hFE典型值100–300）。其主要应用场景包括： 1. 数字逻辑电平转换与信号缓冲：常用于微控制器（MCU）或FPGA输出端驱动LED、继电器或低功耗逻辑电路，实现电平匹配与电流放大； 2. 多路开关/驱动电路：双管集成结构节省PCB面积，适用于需并行控制两路负载的场景，如RGB LED的R/G通道驱动、双路传感器信号调理前端； 3. 简易放大与检测电路：在便携式设备（如IoT传感器节点、可穿戴设备）中用作小信号前置放大或光电二极管/热敏电阻的电流-电压转换级； 4. 消费类电子接口保护：配合限流电阻构成低成本输入保护电路，抑制ESD或瞬态干扰； 5. 替代传统分立器件方案：在空间受限的高密度设计中（如手机主板、TWS耳机充电仓），替代两个SOT-23单管，提升装配效率与可靠性。 该器件具备低饱和压降、良好增益一致性及AEC-Q200兼容性（部分批次），亦适用于汽车电子中的非安全关键子系统（如车身控制模块的灯光控制）。注意其最大功耗仅约150mW，不适用于大电流或高频（>100MHz）开关应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS DUAL NPN 40V 200MA SOT363 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MBT3904DW1T1 |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 10mA，1V |
| 供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 其它名称 | MBT3904DW1T1OSCT |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 晶体管类型 | 2 NPN（双） |
| 标准包装 | 10 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 40V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 200mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 频率-跃迁 | 300MHz |
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