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详细数据请看参考数据手册
- 型号： MBD54DWT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MBD54DWT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MBD54DWT1G价格参考。ON SemiconductorMBD54DWT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MBD54DWT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MBD54DWT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美半导体）的型号 MBD54DWT1G 是一款二极管整流器阵列，属于功率半导体器件。其主要应用场景包括以下几个方面： 1. 电源管理：MBD54DWT1G 可用于各种电源管理系统中，例如将交流电转换为直流电（AC-DC 转换）。它适用于开关电源、适配器和充电器等设备，能够高效地进行整流操作。 2. 电机驱动与控制：该器件适合用于小型电机驱动电路中，例如家用电器（如风扇、冰箱压缩机等）以及工业自动化设备中的电机控制。它可以处理反电动势并保护电路免受电流反向流动的影响。 3. 电池充电保护：在便携式电子设备（如手机、平板电脑和其他可充电设备）中，这款二极管阵列可用于防止电池过充或电流倒流，确保充电过程安全可靠。 4. 汽车电子系统：MBD54DWT1G 在汽车应用中也有广泛用途，例如车载充电器、LED 照明电路、娱乐系统以及引擎控制单元 (ECU) 的辅助电路中。它能承受较高的电压和电流波动，适应恶劣的工作环境。 5. 信号隔离与保护：由于其快速恢复特性，该器件可以用于需要高速切换的应用场景，例如数据通信接口、网络设备及无线基站中的信号隔离与保护电路。 6. 消费类电子产品：从数码相机到游戏机，许多消费类产品都需要高效的电力转换和管理，MBD54DWT1G 可以满足这些需求，提供稳定的性能表现。 总之，MBD54DWT1G 凭借其低正向压降、高效率以及紧凑封装的特点，在众多需要整流功能的领域都有重要应用价值。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT363肖特基二极管与整流器 30V 150mW Dual Isolated |
| 产品分类 | 二极管，整流器 - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,ON Semiconductor MBD54DWT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MBD54DWT1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1V @ 100mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 2µA @ 25V |
| 二极管类型 | 肖特基 |
| 二极管配置 | 2 个独立式 |
| 产品 | Schottky Diodes |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 肖特基二极管与整流器 |
| 供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 其它名称 | MBD54DWT1GOSTR |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 反向恢复时间(trr) | 5ns |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SOT-363 |
| 峰值反向电压 | 30 V |
| 工作温度范围 | - 55 C to + 125 C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 恢复时间 | 5 ns |
| 技术 | Silicon |
| 最大反向漏泄电流 | 2 uA |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 最大浪涌电流 | 0.6 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向电压下降 | 1 V at 0.1 A |
| 正向连续电流 | 0.2 A |
| 热阻 | - |
| 电压-DC反向(Vr)（最大值） | 30V |
| 电流-平均整流(Io)（每二极管） | 200mA（DC） |
| 系列 | MBD54DW |
| 速度 | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 配置 | Dual Anti-Parallel |
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