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  • 型号: MASMCGLCE11AE3
  • 制造商: MICRO-SEMI
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MASMCGLCE11AE3由MICRO-SEMI设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MASMCGLCE11AE3价格参考。MICRO-SEMIMASMCGLCE11AE3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MASMCGLCE11AE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MASMCGLCE11AE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Microsemi Corporation(现为Microchip Technology旗下品牌)的型号MASMCGLCE11AE3属于TVS(瞬态电压抑制)二极管,主要用于电路的过压保护。该器件基于其优良的响应速度和高浪涌吸收能力,广泛应用于对静电放电(ESD)、雷击感应、电源突波等瞬态干扰敏感的电子系统中。

典型应用场景包括通信设备、工业控制模块、消费类电子产品及汽车电子系统中的接口保护,如USB端口、以太网接口、RS-485总线等。该TVS二极管可有效钳制瞬态高压,将电压限制在安全范围内,从而保护后级敏感元器件(如IC、微处理器)免受损坏。

MASMCGLCE11AE3采用紧凑型表面贴装封装,适合高密度PCB布局,具备低漏电流与快速响应特性,适用于需要高可靠性和稳定性的环境。其额定功率和击穿电压参数适配多种低压电路保护需求,特别适合工作电压在11V左右的直流供电系统。

综上,该器件适用于需高效瞬态保护的中低电压电子系统,尤其在电磁干扰较复杂或户外易受雷击影响的工业与通信场景中表现优异。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

电路保护

描述

TVS DIODE 11VWM 18.2VC DO215AB

产品分类

TVS - 二极管

品牌

Microsemi HI-REL [MIL]

数据手册

http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10562-msmclce-pdf

产品图片

产品型号

MASMCGLCE11AE3

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同频率时的电容

100pF @ 1MHz

供应商器件封装

SMCG (DO-215AB)

其它名称

1086-5851

功率-峰值脉冲

1500W (1.5kW)

包装

散装

单向通道

1

双向通道

-

安装类型

表面贴装

封装/外壳

DO-215AB,SMC 鸥翼型

工作温度

-65°C ~ 150°C

应用

通用

标准包装

1

电压-击穿(最小值)

12.2V

电压-反向关态(典型值)

11V

电压-箝位(最大值)@Ipp

18.2V

电流-峰值脉冲(10/1000µs)

82A

电源线路保护

类型

齐纳

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