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产品简介:
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STMicroelectronics的M58LW064D110ZA6是一款容量为64兆位(8MB)的异步静态随机存取存储器(SRAM),主要应用于对数据存储和访问速度有较高要求的电子设备中。该器件具有高速访问时间(10ns)、低功耗设计以及宽温工作范围,适用于工业级环境。 其典型应用场景包括: 1. 嵌入式系统:作为微控制器或FPGA的外部高速缓存,提升系统运行效率。 2. 通信设备:用于路由器、交换机等网络设备中,实现快速数据缓冲与处理。 3. 工业控制:在PLC、工业计算机及自动化设备中提供可靠的数据临时存储。 4. 汽车电子:满足车载控制系统如仪表盘、ADAS模块等对稳定性和温度适应性的严苛需求。 5. 测试测量仪器:在示波器、分析仪等精密设备中用于高速数据采集与暂存。 该SRAM支持多种封装形式,便于灵活布局,适合高密度电路板设计,广泛应用于需要高性能和高稳定性的场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | 集成电路 (IC) |
描述 | IC FLASH 64MBIT 110NS 64TBGA |
产品分类 | 存储器 |
品牌 | STMicroelectronics |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | M58LW064D110ZA6 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
供应商器件封装 | 64-TBGA(10x13) |
其它名称 | 497-1728 |
包装 | 托盘 |
存储器类型 | FLASH - NOR |
存储容量 | 64M(8M x 8,4M x 16) |
封装/外壳 | 64-TBGA |
工作温度 | -40°C ~ 85°C |
接口 | 并联 |
标准包装 | 136 |
格式-存储器 | 闪存 |
电压-电源 | 2.7 V ~ 3.6 V |
速度 | 110ns |