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详细数据请看参考数据手册
- 型号： KST06MTF_Q
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供KST06MTF_Q由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 KST06MTF_Q价格参考。Fairchild SemiconductorKST06MTF_Q封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载KST06MTF_Q参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有KST06MTF_Q 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | 两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial |
| 产品分类 | 分离式半导体 |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 否 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor KST06MTF_Q |
| 产品型号 | KST06MTF_Q |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 发射极-基极电压VEBO | 4 V |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 100 MHz |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工厂包装数量 | 15000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 最大功率耗散 | 350 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.5 A |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 50 |
| 系列 | KST06 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 80 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 80 V |
| 集电极连续电流 | 0.5 A |
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