Datasheet下载- 型号： KSE803S
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供KSE803S由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 KSE803S价格参考。Fairchild SemiconductorKSE803S封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载KSE803S参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有KSE803S 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美半导体）的KSE803S是一款双极结型晶体管（BJT），属于NPN型晶体管，常用于高频率、低噪声放大应用。其主要应用场景包括： 1. 射频（RF）放大器：KSE803S具有良好的高频特性，适用于射频信号的前置放大，广泛应用于通信设备、无线基站和广播系统中。 2. 低噪声放大（LNA）：该器件具备较低的噪声系数，适合用于接收机前端，以提高信号的信噪比，常见于卫星通信、雷达和测试仪器中。 3. 功率放大模块：在需要线性放大的场合，如小功率发射系统，KSE803S可作为驱动级或输出级使用。 4. 工业控制系统：由于其稳定性和可靠性，也可用于工业自动化设备中的信号处理和控制电路。 5. 消费类电子产品：如高性能音频放大器或其他需要高质量信号放大的电子设备中。 总结来说，KSE803S因其高频性能和低噪声特性，在通信、射频和精密电子系统中有广泛应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR NPN 80V 4A TO-126 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | KSE803S |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 2.8V @ 40mA，2A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 750 @ 2A，3V |
| 供应商器件封装 | TO-126 |
| 功率-最大值 | 40W |
| 包装 | 散装 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-225AA，TO-126-3 |
| 晶体管类型 | NPN - 达林顿 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 80V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 4A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100µA |
| 频率-跃迁 | - |
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