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  • 型号: JM38510/23113BFA
  • 制造商: National Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供JM38510/23113BFA由National Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 JM38510/23113BFA价格参考。National SemiconductorJM38510/23113BFA封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载JM38510/23113BFA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有JM38510/23113BFA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

JM38510/23113BFA 是一款符合美军标(MIL-STD-883)的高速双极型静态RAM(SRAM),由多家美国半导体厂商(如Texas Instruments、Fairchild等)曾生产,现多为停产器件,属军用/航天级产品。其品牌通常标注为“—”(即无商业品牌,代表符合JAN(Joint Army-Navy)标准的通用军用器件),分类为存储器(具体为SRAM)。  

该器件容量为2K×8位(16Kb),存取时间典型值约25ns,工作温度范围宽(−55℃~+125℃),具备抗辐照、高可靠性及长期稳定性等特点。主要应用场景集中于高可靠性和恶劣环境领域:  
- 航天电子系统:卫星星载计算机、姿态控制单元、遥测数据缓存;  
- 军用航空电子:战斗机火控系统、雷达信号处理模块中的高速暂存缓冲;  
- 国防装备:导弹制导计算机、战术通信设备、核生化监测终端的实时数据暂存;  
- 工业与核能领域:核电站安全控制系统、深井勘探仪器等需耐高温、抗辐射的嵌入式系统。  

由于其已停产且被更先进的CMOS SRAM(如抗辐照QML-V器件)逐步替代,当前应用多见于在役老旧装备的维护、备件替换或关键系统延寿工程中,强调兼容性与零变更设计。使用时需注意电源电压(±5V双电源)、严格静电防护及老化筛选要求。
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