Datasheet下载- 型号： JANTXV1N6105US
- 制造商： MICRO-SEMI
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供JANTXV1N6105US由MICRO-SEMI设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 JANTXV1N6105US价格参考。MICRO-SEMIJANTXV1N6105US封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载JANTXV1N6105US参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有JANTXV1N6105US 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现为Littelfuse子公司）的JANTXV1N6105US是一款瞬态电压抑制器（TVS）二极管，主要用于保护电子电路免受静电放电（ESD）、浪涌和其它瞬态电压事件的损害。该器件符合军用标准（JANTXV），具有高可靠性和稳定性，适用于对性能和可靠性要求较高的应用场景。 典型应用场景包括： 1. 通信设备：用于保护通信接口（如RS-232、RS-485、以太网等）免受静电和瞬态电压冲击，提高系统稳定性。 2. 工业控制系统：在PLC、变频器、工控机等设备中，防止因开关操作或雷击引起的电压浪涌损坏敏感元件。 3. 航空航天与国防电子：凭借其军用等级（JANTXV）认证，广泛应用于航空电子、雷达、导航系统等高可靠性领域。 4. 测试与测量仪器：保护精密测试设备的输入输出端口，确保测量精度不受外部干扰影响。 5. 电源管理系统：用于直流电源输入端，吸收瞬态能量，保障后级电路安全运行。 总结而言，JANTXV1N6105US适用于需要高可靠性、抗瞬态干扰能力强的高端电子系统中，特别是在军事、航空航天及工业控制领域具有广泛应用价值。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | TVS DIODE 6.9VWM BSQMELF |
| 产品分类 | TVS - 二极管 |
| 品牌 | Microsemi HI-REL [MIL] |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/127892-lds-0277-1 |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | JANTXV1N6105US |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同频率时的电容 | - |
| 供应商器件封装 | B, SQ-MELF |
| 其它名称 | 1086-2862 |
| 功率-峰值脉冲 | 500W |
| 包装 | 散装 |
| 单向通道 | - |
| 双向通道 | 1 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SQ-MELF， B |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿（最小值） | 8.22V |
| 电压-反向关态（典型值） | 6.9V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 14.07V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 35.44A |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |
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