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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供JAN1N6114US由MICRO-SEMI设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 JAN1N6114US价格参考。MICRO-SEMIJAN1N6114US封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载JAN1N6114US参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有JAN1N6114US 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
JAN1N6114US 是由 Microsemi Corporation(现为 Microchip Technology 旗下公司)生产的一款瞬态电压抑制器(TVS)二极管,属于高可靠性器件,常用于保护电子电路免受静电放电(ESD)、浪涌和其它瞬态电压事件的损害。 该型号具有较高的击穿电压和较大的瞬态吸收能力,适用于对可靠性要求极高的应用场景。典型应用包括: 1. 航空航天与国防系统:由于该器件符合 JAN(Joint Army-Navy)标准,具备军用级可靠性,因此广泛应用于飞机电子系统、卫星通信设备及军用雷达等对稳定性要求极高的场合。 2. 电源管理系统:可用于直流电源输入端口,防止因雷击或电感负载切换引起的电压尖峰损坏后级电路。 3. 通信设备:在电信基础设施中,如基站、光模块和路由器中作为线路保护器件,保障信号和电源接口的稳定运行。 4. 工业控制系统:用于PLC、工控机等设备中,保护敏感电路不受工业环境中常见的电磁干扰和静电冲击。 5. 测试与测量仪器:保护精密测量设备的输入输出端口,确保在恶劣环境下的准确性和长期稳定性。 总之,JAN1N6114US 主要面向高可靠性、高性能要求的应用领域,尤其适合需要承受极端环境条件并保持稳定工作的场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | TVS DIODE 16.7VWM SQMELF |
| 产品分类 | TVS - 二极管 |
| 品牌 | Microsemi HI-REL [MIL] |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/127892-lds-0277-1 |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | JAN1N6114US |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同频率时的电容 | - |
| 供应商器件封装 | B, SQ-MELF |
| 其它名称 | 1086-2176 |
| 功率-峰值脉冲 | 500W |
| 包装 | 散装 |
| 单向通道 | - |
| 双向通道 | 1 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SQ-MELF, B |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿(最小值) | 19.86V |
| 电压-反向关态(典型值) | 16.7V |
| 电压-箝位(最大值)@Ipp | 32.03V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 15.58A |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |