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  • 型号: JAN1N6114US
  • 制造商: MICRO-SEMI
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供JAN1N6114US由MICRO-SEMI设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 JAN1N6114US价格参考。MICRO-SEMIJAN1N6114US封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载JAN1N6114US参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有JAN1N6114US 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

JAN1N6114US 是由 Microsemi Corporation(现为 Microchip Technology 旗下公司)生产的一款瞬态电压抑制器(TVS)二极管,属于高可靠性器件,常用于保护电子电路免受静电放电(ESD)、浪涌和其它瞬态电压事件的损害。

该型号具有较高的击穿电压和较大的瞬态吸收能力,适用于对可靠性要求极高的应用场景。典型应用包括:

1. 航空航天与国防系统:由于该器件符合 JAN(Joint Army-Navy)标准,具备军用级可靠性,因此广泛应用于飞机电子系统、卫星通信设备及军用雷达等对稳定性要求极高的场合。

2. 电源管理系统:可用于直流电源输入端口,防止因雷击或电感负载切换引起的电压尖峰损坏后级电路。

3. 通信设备:在电信基础设施中,如基站、光模块和路由器中作为线路保护器件,保障信号和电源接口的稳定运行。

4. 工业控制系统:用于PLC、工控机等设备中,保护敏感电路不受工业环境中常见的电磁干扰和静电冲击。

5. 测试与测量仪器:保护精密测量设备的输入输出端口,确保在恶劣环境下的准确性和长期稳定性。

总之,JAN1N6114US 主要面向高可靠性、高性能要求的应用领域,尤其适合需要承受极端环境条件并保持稳定工作的场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

电路保护

描述

TVS DIODE 16.7VWM SQMELF

产品分类

TVS - 二极管

品牌

Microsemi HI-REL [MIL]

数据手册

http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/127892-lds-0277-1

产品图片

产品型号

JAN1N6114US

rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同频率时的电容

-

供应商器件封装

B, SQ-MELF

其它名称

1086-2176

功率-峰值脉冲

500W

包装

散装

单向通道

-

双向通道

1

安装类型

表面贴装

封装/外壳

SQ-MELF, B

工作温度

-55°C ~ 175°C

应用

通用

标准包装

1

电压-击穿(最小值)

19.86V

电压-反向关态(典型值)

16.7V

电压-箝位(最大值)@Ipp

32.03V

电流-峰值脉冲(10/1000µs)

15.58A

电源线路保护

类型

齐纳

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