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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供JAN1N6113A由MICRO-SEMI设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 JAN1N6113A价格参考。MICRO-SEMIJAN1N6113A封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载JAN1N6113A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有JAN1N6113A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
JAN1N6113A 是由 Microsemi Corporation(现为 Microchip Technology 旗下子公司)生产的一款瞬态电压抑制器(TVS)二极管,主要用于电路中的过电压保护。其应用场景主要包括以下几个方面: 1. 航空航天与军事电子设备:该型号具有军用级认证(JAN代表Joint Army-Navy规格),适用于对可靠性要求极高的航空航天、国防和军事通信系统中,用于保护敏感电子元件免受静电放电(ESD)、雷击浪涌和其它瞬态电压的损害。 2. 通信设备:在有线或无线通信系统中,如基站、路由器和交换设备,JAN1N6113A可用于保护接口电路和数据线路,防止因电压瞬变导致的信号中断或硬件损坏。 3. 工业控制系统:在工业自动化和控制设备中,用于保护PLC(可编程逻辑控制器)、传感器和执行器接口,提高系统在恶劣电磁环境下的稳定性和可靠性。 4. 电源管理系统:适用于电源输入端的瞬态抑制保护,防止外部浪涌电压对电源模块造成损害。 该器件具有快速响应时间、高浪涌吸收能力和低钳位电压等特点,适用于需要高性能保护的高端电子系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | TVS DIODE 15.2VWM BPKG AXIAL |
| 产品分类 | TVS - 二极管 |
| 品牌 | Microsemi HI-REL [MIL] |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/127891-lds-0277 |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | JAN1N6113A |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同频率时的电容 | - |
| 供应商器件封装 | 轴向 |
| 其它名称 | 1086-2170 |
| 功率-峰值脉冲 | 500W |
| 包装 | 散装 |
| 单向通道 | - |
| 双向通道 | 1 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | B, 轴向 |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿(最小值) | 19V |
| 电压-反向关态(典型值) | 15.2V |
| 电压-箝位(最大值)@Ipp | 27.7V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 18A |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |