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详细数据请看参考数据手册
- 型号： JAN1N6112
- 制造商： MICRO-SEMI
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供JAN1N6112由MICRO-SEMI设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 JAN1N6112价格参考。MICRO-SEMIJAN1N6112封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载JAN1N6112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有JAN1N6112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现为Littelfuse子公司）的JAN1N6112是一款用于瞬态电压抑制（TVS）的二极管。该器件主要用于保护电子电路免受静电放电（ESD）、浪涌和其它瞬态电压事件的损害。 应用场景包括： 1. 航空航天与国防电子：由于JAN1N6112具有高可靠性和符合MIL-STD标准，常用于航空航天、卫星通信及军事设备中，以保护敏感电路免受电压瞬变影响。 2. 通信设备：在光纤通信、无线基站和交换设备中，JAN1N6112用于保护接口电路（如RS-485、以太网）免受外部电磁干扰和雷击浪涌的影响。 3. 工业控制系统：应用于PLC、传感器和自动化设备中，保护控制电路和信号线路免受工业环境中常见的电感负载切换引起的电压尖峰。 4. 电源模块与电源管理系统：用于DC-DC转换器和电源分配系统中，提供输入/输出端口的瞬态电压保护，提高系统稳定性。 5. 测试与测量仪器：保护高精度测量设备的输入端口，防止因误操作或外部干扰导致损坏。 该器件具有快速响应时间、高浪涌吸收能力和低钳位电压等特点，适用于对可靠性要求较高的恶劣电磁环境。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | TVS DIODE 13.7VWM BPKG AXIAL |
| 产品分类 | TVS - 二极管 |
| 品牌 | Microsemi HI-REL [MIL] |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/127891-lds-0277 |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | JAN1N6112 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同频率时的电容 | - |
| 供应商器件封装 | 轴向 |
| 其它名称 | 1086-2165 |
| 功率-峰值脉冲 | 500W |
| 包装 | 散装 |
| 单向通道 | - |
| 双向通道 | 1 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | B， 轴向 |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿（最小值） | 16.25V |
| 电压-反向关态（典型值） | 13.7V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 26.36V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 18.91A |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |
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