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详细数据请看参考数据手册
- 型号： JAN1N6111US
- 制造商： MICRO-SEMI
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供JAN1N6111US由MICRO-SEMI设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 JAN1N6111US价格参考。MICRO-SEMIJAN1N6111US封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载JAN1N6111US参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有JAN1N6111US 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现为Microchip子公司）的JAN1N6111US是一款瞬态电压抑制器（TVS）二极管，主要用于电路中的过电压保护。该器件符合MIL-STD-750标准，具备高可靠性和稳定性，适用于对可靠性要求较高的军事和航空航天领域。 JAN1N6111US的主要应用场景包括： 1. 军用电子设备：用于雷达、通信系统、导航设备等，防止静电放电（ESD）、雷击浪涌等瞬态电压对敏感电路造成损坏。 2. 航空航天系统：在飞机电子系统、卫星通信模块中提供稳定可靠的电压保护，保障高空或极端环境下的设备正常运行。 3. 工业控制系统：用于工业自动化设备、电源管理系统中，提升系统抗干扰能力，延长设备使用寿命。 4. 测试与测量仪器：保护精密仪器输入输出端口免受意外电压冲击，确保测量精度和安全性。 总之，JAN1N6111US凭借其高可靠性设计，广泛应用于需要抵御瞬态电压威胁、并要求长期稳定工作的高端电子系统中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | TVS DIODE 12.2VWM SQMELF |
| 产品分类 | TVS - 二极管 |
| 品牌 | Microsemi HI-REL [MIL] |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/127892-lds-0277-1 |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | JAN1N6111US |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同频率时的电容 | - |
| 供应商器件封装 | B, SQ-MELF |
| 其它名称 | 1086-2164 |
| 功率-峰值脉冲 | 500W |
| 包装 | 散装 |
| 单向通道 | - |
| 双向通道 | 1 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SQ-MELF， B |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿（最小值） | 14.44V |
| 电压-反向关态（典型值） | 12.2V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 23.42V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 21.28A |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |
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