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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供JAN1N6107AUS由MICRO-SEMI设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 JAN1N6107AUS价格参考。MICRO-SEMIJAN1N6107AUS封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载JAN1N6107AUS参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有JAN1N6107AUS 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation(现为Littelfuse子公司)的JAN1N6107AUS是一款符合MIL-STD-19500标准的TVS(瞬态电压抑制)二极管,主要用于保护电子电路免受静电放电(ESD)、电快速瞬变脉冲群(EFT)和雷击浪涌等瞬态电压的损害。 该器件广泛应用于对可靠性要求极高的军事、航空航天和工业控制系统中。典型应用场景包括: 1. 军用电子设备:用于雷达、通信系统、导航设备等,保护敏感电子元件免受极端环境下的电压瞬变影响。 2. 航空航天系统:在飞行控制系统、传感器和电源模块中提供稳定可靠的瞬态电压保护。 3. 高可靠性工业设备:如自动化控制设备、工业计算机和电源接口,防止因电源波动或静电放电导致的损坏。 4. 测试与测量仪器:保护高精度仪器输入输出端口,确保测量精度和设备稳定性。 JAN1N6107AUS具备高浪涌电流承受能力和低钳位电压,适用于高要求环境中的电路保护,确保系统在恶劣条件下的稳定运行。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | TVS DIODE 8.4VWM 15.6VC SQMELF |
| 产品分类 | TVS - 二极管 |
| 品牌 | Microsemi HI-REL [MIL] |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/127892-lds-0277-1 |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | JAN1N6107AUS |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同频率时的电容 | - |
| 供应商器件封装 | B, SQ-MELF |
| 其它名称 | 1086-2147 |
| 功率-峰值脉冲 | 500W |
| 包装 | 散装 |
| 单向通道 | - |
| 双向通道 | 1 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SQ-MELF, B |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿(最小值) | 10.45V |
| 电压-反向关态(典型值) | 8.4V |
| 电压-箝位(最大值)@Ipp | 15.6V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 32A |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |