Datasheet下载- 型号： J175
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供J175由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 J175价格参考。Fairchild SemiconductorJ175封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载J175参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有J175 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor 的 J175 是一款 P 沟道结型场效应晶体管（JFET），常用于低噪声、中低频模拟信号处理场景。其典型应用包括： 1. 音频前置放大器：凭借高输入阻抗（>10⁹ Ω）和低栅极电流特性，J175 适合用作麦克风或拾音器（如电吉他）的缓冲级或第一级放大，有效减少信号源负载，保留音色细节； 2. 电压控制电阻（VCR）/模拟开关：在可变增益放大器、自动增益控制（AGC）电路或程控衰减器中，利用其栅源电压（VGS）对沟道电阻的线性调控能力； 3. 恒流源/电流镜：配合偏置电路构成稳定的小电流源（如几微安至几毫安），适用于传感器偏置、LED 驱动或基准电流生成； 4. 射频/中频小信号放大：虽非高频专用器件（fT约 10–20 MHz），但在 AM/FM 收音机、无线话筒等低频射频前端仍可作低噪声放大或混频器有源器件； 5. 工业传感接口：用于高阻抗传感器（如压电传感器、pH 电极）的信号调理电路，抑制噪声并提升信噪比。 J175 具有良好的温度稳定性与低功耗（IDSS ≈ −1 mA 至 −5 mA，VP ≈ −0.5 V 至 −3 V），采用 TO-92 封装，易于手工焊接与原型验证。需注意其为 P 沟道器件，使用时需反向偏置栅极（VGS ≤ 0），且不适用于大功率或高速开关场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | JFET P-CH 30V 350MW TO92 |
| 产品分类 | JFET（结点场效应 |
| FET类型 | P 沟道 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | J175 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的电压-截止（VGS关） | 3V @ 10nA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 7mA @ 15V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 其它名称 | J175FS |
| 功率-最大值 | 350mW |
| 包装 | 散装 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | - |
| 漏源极电压(Vdss) | - |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | 30V |
| 电阻-RDS（开） | 125 欧姆 |
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