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图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： J113,126
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供J113,126由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 J113,126价格参考。NXP SemiconductorsJ113,126封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载J113,126参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有J113,126 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
J113（含变体J113-126）是N沟道结型场效应晶体管（JFET），常用于低噪声、低功耗模拟电路。其典型应用场景包括： 1. 音频前置放大器：因输入阻抗高（>10⁹ Ω）、噪声低、无栅极电流，适合麦克风、电吉他拾音器等微弱信号的首级放大； 2. 恒流源/电流镜：利用其饱和区良好的电流控制特性，构建精密偏置电路或LED驱动恒流源； 3. 模拟开关与多路复用器：作为电压控制的“固态开关”，在低频信号通断（如仪器通道选择）中应用，导通电阻小、关断漏电流极低； 4. 振荡器与定时电路：配合RC网络构成弛张振荡器（如方波发生器），用于时钟基准或简单脉冲生成； 5. 传感器接口电路：放大高阻抗传感器（如压电传感器、光电二极管）输出，避免负载效应。 J113-126为特定封装或参数分档版本（如Vₚ典型值-3V，I_DSS约2–8mA），适用于通用工业及消费电子设计。注意其耐压较低（V_BRDSS≈30V），不适用于高压或大功率场景。广泛用于教学实验、DIY音频设备及便携式仪器中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | JFET N-CH 40V 400MW TO92-3JFET AMMORA FET-RFSS |
| 产品分类 | JFET（结点场效应分离式半导体 |
| FET类型 | N 沟道 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,JFET,NXP Semiconductors J113,126- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | J113,126 |
| PCN封装 | |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 40 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 40 V |
| 不同Id时的电压-截止（VGS关） | 500mV @ 1µA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 2mA @ 15V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6pF @ 10V（VGS） |
| 产品种类 | JFET |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 其它名称 | 568-8489-1 |
| 功率-最大值 | 400mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Ammo Pack |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 |
| 封装/箱体 | SOT-54 |
| 工厂包装数量 | 10000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | - |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 漏源电压VDS | 40 V |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | 40V |
| 电阻-RDS（开） | 100 欧姆 |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | - 40 V |
| 零件号别名 | AMO J113 |
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