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- 型号： J111RLRPG
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供J111RLRPG由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 J111RLRPG价格参考。ON SemiconductorJ111RLRPG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载J111RLRPG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有J111RLRPG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor 的 J111RLRPG 是一款 N 沟道结型场效应晶体管（JFET），常用于低噪声、中速开关与模拟信号调理场合。其典型应用场景包括： 1. 音频前置放大器：凭借高输入阻抗（约10⁹ Ω）和低栅极电流特性，J111 适合麦克风、吉他拾音器等高阻抗信号源的缓冲与初级放大，可有效减少信号衰减和失真； 2. 电压控制电阻（VCR）电路：利用其可变沟道电阻特性，在压控衰减器、自动增益控制（AGC）或模拟乘法器中作为电子电位器使用； 3. 开关与多路复用：在低频（<1 MHz）数字/模拟切换应用中（如仪器通道选择、传感器信号路由），其关断漏电流小（典型值1 nA）、导通电阻低（约30–50 Ω），适合电池供电便携设备； 4. 振荡器与定时电路：配合RC网络构成弛张振荡器（如方波发生器），利用其阈值电压稳定性实现可靠起振； 5. 电流源/有源负载：在恒流偏置电路或运算放大器内部负载中，提供稳定、温度特性较优的电流源（典型IDSS为2–6 mA）。 需注意：J111RLRPG 为通孔封装（TO-92），非高频器件（fₜ约20 MHz），不适用于射频或高速开关；设计时应关注其VGS(off)范围（−0.5 V 至 −4.0 V）及温度漂移，合理设置偏置点以保障线性度。广泛应用于消费电子、工业传感、教育实验套件及音频DIY项目中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | JFET N-CH 35V 350MW TO92 |
| 产品分类 | JFET（结点场效应 |
| FET类型 | N 沟道 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | J111RLRPG |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的电压-截止（VGS关） | 3V @ 1µA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 20mA @ 15V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 功率-最大值 | 350mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | - |
| 漏源极电压(Vdss) | - |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | 35V |
| 电阻-RDS（开） | 30 欧姆 |
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