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详细数据请看参考数据手册
- 型号： J110RLRAG
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供J110RLRAG由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 J110RLRAG价格参考。ON SemiconductorJ110RLRAG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载J110RLRAG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有J110RLRAG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
J110RLRAG 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道结型场效应晶体管（JFET），常用于低噪声、低功耗的模拟信号处理场景。其典型应用包括：音频前置放大器（如麦克风输入级）、运算放大器输入缓冲级、高阻抗信号源接口（因JFET输入阻抗高达10⁹ Ω以上，可减小信号源负载效应）、压控电阻/模拟开关（利用其可变沟道电阻特性）、振荡器与定时电路（如相移振荡器、弛张振荡器中的有源元件），以及电池供电设备中的低功耗恒流源或电流镜。该器件具有低输入电容（约4pF）、低噪声、无需偏置电流等优势，适合对信噪比和输入阻抗要求较高的精密模拟前端。其SOT-23封装便于小型化设计，广泛应用于便携式音频设备、传感器信号调理电路、工业仪表及教学实验模块中。注意：J110为通用型JFET，非功率器件，不适用于大电流或高压开关场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | JFET N-CH 25V 310MW TO92 |
| 产品分类 | JFET（结点场效应 |
| FET类型 | N 沟道 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | J110RLRAG |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的电压-截止（VGS关） | 500mV @ 1µA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 10mA @ 15V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 功率-最大值 | 310mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | - |
| 漏源极电压(Vdss) | - |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | 25V |
| 电阻-RDS（开） | 18 欧姆 |
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