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产品简介:
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| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td(开/关)值 | 32ns/123ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 490A |
| 描述 | IGBT 1200V 188A 1150W PLUS247IGBT 晶体管 XPT 1200V IGBT GenX3 XPT IGBT |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 270nC |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,IXYS IXYX100N120C3GenX3™, XPT™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXYX100N120C3 |
| SwitchingEnergy | 6.5mJ (开), 2.9mJ (关) |
| TestCondition | 600V, 100A, 1 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 3.5V @ 15V,100A |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | PLUS247™-3 |
| 功率-最大值 | 1150W |
| 功率耗散 | 1150 W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | IXYS |
| 商标名 | XPT |
| 在25C的连续集电极电流 | 188 A |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极/发射极最大电压 | 30 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | 100 nA |
| 标准包装 | 30 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 1200V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 188A |
| 系列 | IXYX100N120C3 |
| 输入类型 | 标准 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 1200 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2.9 V |
| 集电极最大连续电流Ic | 188 A |