| 参数 |
数值 |
| 产品目录 |
分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode |
Enhancement |
| 描述 |
MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-252MOSFET 0.8 Amps 1000V 20 Rds |
| 产品分类 |
FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 |
标准 |
| FET类型 |
MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent |
800 mA |
| Id-连续漏极电流 |
800 mA |
| 品牌 |
IXYS |
| 产品手册 |
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| 产品图片 |
 
|
| rohs |
符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 |
晶体管,MOSFET,IXYS IXTY08N100PPolar™ |
| 数据手册 |
点击此处下载产品Datasheet |
| 产品型号 |
IXTY08N100P |
| Pd-PowerDissipation |
42 W |
| Pd-功率耗散 |
42 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance |
20 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 |
20 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage |
1 kV |
| Vds-漏源极击穿电压 |
1 kV |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage |
+/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 |
20 V |
| 上升时间 |
37 ns |
| 下降时间 |
34 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) |
4V @ 50µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) |
240pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) |
11.3nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) |
20 欧姆 @ 500mA,10V |
| 产品种类 |
MOSFET |
| 供应商器件封装 |
TO-252,(D-Pak) |
| 典型关闭延迟时间 |
35 ns |
| 功率-最大值 |
42W |
| 包装 |
管件 |
| 单位重量 |
350 mg |
| 商标 |
IXYS |
| 安装类型 |
表面贴装 |
| 安装风格 |
SMD/SMT |
| 封装 |
Tube |
| 封装/外壳 |
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 封装/箱体 |
DPAK-2 |
| 工厂包装数量 |
75 |
| 晶体管极性 |
N-Channel |
| 最大工作温度 |
+ 150 C |
| 最小工作温度 |
- 55 C |
| 标准包装 |
70 |
| 漏源极电压(Vdss) |
1000V(1kV) |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) |
800mA (Tc) |
| 系列 |
IXTY08N100 |
| 通道模式 |
Enhancement |
| 配置 |
Single |