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  • 型号: IXTK210P10T
  • 制造商: IXYS
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IXTK210P10T由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTK210P10T价格参考¥117.46-¥202.74。IXYSIXTK210P10T封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXTK210P10T参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXTK210P10T 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IXTK210P10T是IXYS公司生产的一款P沟道增强型MOSFET,属于晶体管中的功率MOSFET类别。该器件具有100V的漏源电压(VDS)和较高的电流承载能力,适用于中高功率开关应用。

其主要应用场景包括:  
1. 电源管理:广泛用于DC-DC转换器、开关电源(SMPS)和电压调节模块中,作为高效开关元件,实现电能的高效转换与稳定输出。  
2. 电机驱动:适用于工业控制、电动工具和家用电器中的直流电机或步进电机驱动电路,提供快速开关响应和低导通损耗。  
3. 逆变器与UPS系统:在不间断电源(UPS)、太阳能逆变器等设备中,用于功率切换和能量回馈控制。  
4. 负载开关与电源切换:可作为高端或低端负载开关,控制电池供电系统的通断,适用于便携式设备和工业电源系统。  
5. 保护电路:用于过流、过压保护电路中,配合控制芯片实现快速切断功能,提升系统安全性。

IXTK210P10T具备低栅极电荷和低导通电阻(RDS(on)),有助于减少开关损耗和导通损耗,提高系统效率。其TO-247封装形式具备良好的散热性能,适合高功率密度设计。由于其可靠的性能和稳定的参数,该MOSFET在工业自动化、能源系统和电力电子设备中得到广泛应用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
ChannelMode

Enhancement

Id-ContinuousDrainCurrent

- 210 A

Id-连续漏极电流

- 210 A

品牌

IXYS

产品目录

半导体

描述

MOSFET TrenchP Power MOSFETs

产品分类

分离式半导体

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS

产品系列

晶体管,MOSFET,IXYS IXTK210P10T

产品型号

IXTK210P10T

Pd-PowerDissipation

1.04 kW

Pd-功率耗散

1.04 kW

Qg-GateCharge

740 nC

Qg-栅极电荷

740 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

7.5 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

7.5 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 100 V

Vds-漏源极击穿电压

- 100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 15 V

Vgs-栅源极击穿电压

15 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

- 4.5 V

Vgsth-栅源极阈值电压

- 4.5 V

上升时间

98 ns

下降时间

55 ns

产品种类

MOSFET

典型关闭延迟时间

165 ns

商标

IXYS

商标名

TrenchP

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/箱体

TO-264-3

工厂包装数量

25

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

正向跨导-最小值

90 S

系列

IXTK210P10

通道模式

Enhancement

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