图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXTK210P10T由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTK210P10T价格参考¥117.46-¥202.74。IXYSIXTK210P10T封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXTK210P10T参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXTK210P10T 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXTK210P10T是IXYS公司生产的一款P沟道增强型MOSFET,属于晶体管中的功率MOSFET类别。该器件具有100V的漏源电压(VDS)和较高的电流承载能力,适用于中高功率开关应用。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理:广泛用于DC-DC转换器、开关电源(SMPS)和电压调节模块中,作为高效开关元件,实现电能的高效转换与稳定输出。 2. 电机驱动:适用于工业控制、电动工具和家用电器中的直流电机或步进电机驱动电路,提供快速开关响应和低导通损耗。 3. 逆变器与UPS系统:在不间断电源(UPS)、太阳能逆变器等设备中,用于功率切换和能量回馈控制。 4. 负载开关与电源切换:可作为高端或低端负载开关,控制电池供电系统的通断,适用于便携式设备和工业电源系统。 5. 保护电路:用于过流、过压保护电路中,配合控制芯片实现快速切断功能,提升系统安全性。 IXTK210P10T具备低栅极电荷和低导通电阻(RDS(on)),有助于减少开关损耗和导通损耗,提高系统效率。其TO-247封装形式具备良好的散热性能,适合高功率密度设计。由于其可靠的性能和稳定的参数,该MOSFET在工业自动化、能源系统和电力电子设备中得到广泛应用。
| 参数 | 数值 |
| ChannelMode | Enhancement |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 210 A |
| Id-连续漏极电流 | - 210 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | MOSFET TrenchP Power MOSFETs |
| 产品分类 | 分离式半导体 |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXTK210P10T |
| 产品型号 | IXTK210P10T |
| Pd-PowerDissipation | 1.04 kW |
| Pd-功率耗散 | 1.04 kW |
| Qg-GateCharge | 740 nC |
| Qg-栅极电荷 | 740 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 7.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 7.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 15 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 15 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 4.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 4.5 V |
| 上升时间 | 98 ns |
| 下降时间 | 55 ns |
| 产品种类 | MOSFET |
| 典型关闭延迟时间 | 165 ns |
| 商标 | IXYS |
| 商标名 | TrenchP |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/箱体 | TO-264-3 |
| 工厂包装数量 | 25 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 正向跨导-最小值 | 90 S |
| 系列 | IXTK210P10 |
| 通道模式 | Enhancement |