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数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXTK210P10T由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTK210P10T价格参考¥117.46-¥202.74。IXYSIXTK210P10T封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXTK210P10T参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXTK210P10T 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
ChannelMode | Enhancement |
Id-ContinuousDrainCurrent | - 210 A |
Id-连续漏极电流 | - 210 A |
品牌 | IXYS |
产品目录 | 半导体 |
描述 | MOSFET TrenchP Power MOSFETs |
产品分类 | 分离式半导体 |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXTK210P10T |
产品型号 | IXTK210P10T |
Pd-PowerDissipation | 1.04 kW |
Pd-功率耗散 | 1.04 kW |
Qg-GateCharge | 740 nC |
Qg-栅极电荷 | 740 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 7.5 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 7.5 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 100 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 100 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 15 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 15 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 4.5 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | - 4.5 V |
上升时间 | 98 ns |
下降时间 | 55 ns |
产品种类 | MOSFET |
典型关闭延迟时间 | 165 ns |
商标 | IXYS |
商标名 | TrenchP |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/箱体 | TO-264-3 |
工厂包装数量 | 25 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
正向跨导-最小值 | 90 S |
系列 | IXTK210P10 |
通道模式 | Enhancement |