| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXGR35N120BD1由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXGR35N120BD1价格参考。IXYSIXGR35N120BD1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXGR35N120BD1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXGR35N120BD1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td(开/关)值 | 40ns/270ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 200A |
| 描述 | IGBT 1200V 54A 250W ISOPLUS247IGBT 晶体管 23 Amps 1200V 3.7 Rds |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 140nC |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,IXYS IXGR35N120BD1- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXGR35N120BD1 |
| SwitchingEnergy | 900µJ (开), 3.8mJ (关) |
| TestCondition | 960V,35A,3 欧姆,15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 3.5V @ 15V,35A |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | ISOPLUS247™ |
| 功率-最大值 | 250W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | 40ns |
| 商标 | IXYS |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | ISOPLUS247™ |
| 封装/箱体 | ISOPLUS 247-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
| 标准包装 | 30 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 1200V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 54A |
| 系列 | IXGR35N120 |
| 输入类型 | 标准 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 1200 V |
| 集电极最大连续电流Ic | 54 A |