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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXGN50N120C3H1由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXGN50N120C3H1价格参考。IXYSIXGN50N120C3H1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXGN50N120C3H1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXGN50N120C3H1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXGN50N120C3H1是一款高压高速IGBT模块,属于晶体管-IGBT-模块类别。该器件额定电压为1200V,额定电流为50A,采用先进的沟槽栅场截止(Trench Field-Stop)技术,具有低导通损耗和开关损耗、高效率和优良的热稳定性等特点。 IXGN50N120C3H1主要适用于高功率、高频率的电力电子转换系统。典型应用场景包括:工业电机驱动(如变频器和伺服驱动器)、可再生能源系统(如光伏逆变器和风力发电变流器)、不间断电源(UPS)和开关电源(SMPS)、电焊机设备以及感应加热系统等。其高耐压和高可靠性使其在需要高效能量转换和稳定运行的严苛环境中表现出色。 此外,该模块具备良好的抗浪涌能力和温度特性,适合在高温或负载波动较大的工况下长期运行。由于集成了高性能的IGBT芯片并优化了内部结构,IXGN50N120C3H1有助于减小系统体积、提高功率密度,广泛应用于工业自动化、能源转换和电力传输等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | IGBT 1200V 95A SOT-227IGBT 模块 High Frequency Range >40khz CIGBT w/Diode |
| 产品分类 | IGBT - 模块分离式半导体 |
| IGBT类型 | PT |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 模块,IXYS IXGN50N120C3H1GenX3™ |
| NTC热敏电阻 | 无 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXGN50N120C3H1 |
| 不同 Vce时的输入电容(Cies) | 4.3nF @ 25V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 4.2V @ 15V,40A |
| 产品种类 | IGBT 模块 |
| 供应商器件封装 | SOT-227B |
| 功率-最大值 | 460W |
| 功率耗散 | 460 W |
| 商标 | IXYS |
| 商标名 | GenX3 |
| 在25C的连续集电极电流 | 95 A |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | SOT-227-4,miniBLOC |
| 封装/箱体 | SOT-227 B-4 |
| 工厂包装数量 | 10 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | 100 nA |
| 标准包装 | 10 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 1200V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 95A |
| 电流-集电极截止(最大值) | 250µA |
| 系列 | IXGN50N120 |
| 输入 | 标准 |
| 配置 | 单一 |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 1.2 kV |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.2 kV |