| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介:
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| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 170V 220A PLUS247 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | IXYS |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | IXFX220N17T2 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | GigaMOS™ TrenchT2™ HiperFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 8mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 31000pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 500nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 6.3 毫欧 @ 60A,10V |
| 供应商器件封装 | PLUS247™-3 |
| 功率-最大值 | 1250W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 标准包装 | 30 |
| 漏源极电压(Vdss) | 170V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 220A (Tc) |