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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供ISL9N308AP3由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ISL9N308AP3价格参考。Fairchild SemiconductorISL9N308AP3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载ISL9N308AP3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ISL9N308AP3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ISL9N308AP3 是安森美(ON Semiconductor)推出的一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用 TO-220AB 封装,典型参数包括:VDS = 30 V、ID(连续)= 8 A、RDS(on) ≈ 18 mΩ(VGS = 10 V),具备低导通损耗、快速开关特性及良好的热稳定性。 其主要应用场景包括: ✅ DC-DC 电源转换:广泛用于同步降压(Buck)转换器的高边或低边开关,尤其适用于 5–24 V 输入的中功率电源模块(如通信设备、工业控制板载电源)。 ✅ 负载开关与电源管理:在便携式设备、嵌入式系统中用作高效、低功耗的电源通断控制(如 USB 供电路径管理、电池保护电路中的充放电开关)。 ✅ 电机驱动:适用于小型直流电机(如风扇、泵、办公自动化设备)的 H 桥或单路驱动电路,支持 PWM 调速。 ✅ LED 驱动与背光控制:作为恒流源开关,用于中功率 LED 照明或 LCD 背光调光电路。 该器件内置 ESD 保护,具备雪崩耐受能力,且符合 RoHS 标准,适合对可靠性与能效有要求的工业与消费类应用。需注意:实际设计中应合理配置栅极驱动(避免振荡)、做好散热(TO-220 需配散热片),并确保 VGS 驱动电压满足阈值(典型 VGS(th) = 1.0–2.5 V)以实现充分导通。