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- 型号： ISL9N306AD3
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ISL9N306AD3由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ISL9N306AD3价格参考。Fairchild SemiconductorISL9N306AD3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载ISL9N306AD3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ISL9N306AD3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ISL9N306AD3 是 Fairchild Semiconductor（现属onsemi）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252（DPAK）封装，典型参数：VDS = 30 V，ID（连续）= 6.8 A（TC = 25°C），RDS(on) ≈ 35 mΩ（VGS = 10 V），具备低导通损耗与快速开关特性。其应用场景主要包括： 1. DC-DC电源转换：广泛用于同步降压（Buck）转换器的下管（low-side switch），尤其适用于便携式设备、主板VRM、USB PD适配器等中低功率（通常<30W）高效电源设计； 2. 负载开关与电源管理：在笔记本电脑、平板、智能终端中用作电池保护、热插拔控制或系统供电通断控制； 3. 电机驱动：适用于小型直流电机（如风扇、振动马达）的H桥或单路驱动，支持PWM调速； 4. LED驱动电路：作为恒流/调光开关，用于背光或照明模块； 5. 工业与消费类嵌入式系统：如PLC I/O模块、传感器供电开关、充电管理电路等对效率、尺寸和可靠性有要求的场合。 该器件集成ESD保护，具备雪崩耐受能力，适合空间受限且需稳健性能的应用。注意：设计时需合理布局PCB散热焊盘并确保足够栅极驱动能力（推荐VGS ≥ 4.5 V以充分导通）。
产品参数
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