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- 型号： ISL9N303AS3ST
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ISL9N303AS3ST由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ISL9N303AS3ST价格参考。Fairchild SemiconductorISL9N303AS3ST封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载ISL9N303AS3ST参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ISL9N303AS3ST 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ISL9N303AS3ST 是由 Fairchild Semiconductor（现属安森美半导体 ON Semiconductor）推出的 N 沟道增强型 MOSFET，采用 SOT-23 封装，具有 30V 耐压、3.3A 连续漏极电流（ID）、低导通电阻（典型 RDS(on) ≈ 65 mΩ @ VGS = 10V）、快速开关特性及低栅极电荷（Qg ≈ 4.5 nC）。其小尺寸、高效率和良好热性能使其适用于空间受限、中低功率的直流开关场景。 典型应用场景包括： ✅ 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS 耳机、智能手表中的负载开关、电池保护电路或背光 LED 驱动的电流控制； ✅ DC-DC 转换器次级侧同步整流：在升压/降压模块中替代肖特基二极管，提升转换效率（尤其在 3.3V–12V 输入系统中）； ✅ LED 驱动与调光控制：用于恒流驱动或 PWM 调光的高端/低端开关； ✅ 电机驱动（微型）：驱动小型直流有刷电机（如风扇、振动马达），配合逻辑电平兼容（VGS(th) 约 1.0–2.5V），可直接由 MCU GPIO 驱动； ✅ 热插拔与电源排序电路：作为受控电源通路开关，提供过流/短路保护支持（需外置检测电路）。 注意：SOT-23 封装散热能力有限，不适用于持续大电流或高功耗工况；设计时需确保 PCB 散热焊盘充分、驱动电压稳定，并考虑寄生电感影响开关速度。该器件已停产（EOL），替代型号建议参考安森美同规格产品如 NTD3055L108T4G 或 FDMC3612。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | ISL9N303AS3ST |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | UltraFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7000pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 172nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.2 毫欧 @ 75A，10V |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 功率-最大值 | 215W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 75A （Tc） |
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