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产品简介:
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IS64LV51216-12TLA3 是 ISSI(Integrated Silicon Solution Inc)公司生产的一款高性能异步静态随机存取存储器(SRAM),其容量为 512K x 16 位,访问时间为 12ns。该芯片广泛应用于对数据读写速度和稳定性要求较高的场景。 主要应用场景包括: 1. 工业控制设备:如PLC、工控机等,在其中作为高速缓存或主存使用,保障系统运行的稳定性和实时性。 2. 网络通信设备:用于路由器、交换机等设备中,提升数据包处理速度与缓存效率。 3. 测试测量仪器:如示波器、信号发生器等,用于快速存储和读取采集的数据。 4. 汽车电子系统:例如车载信息娱乐系统、驾驶辅助系统(ADAS)中的临时数据存储模块。 5. 医疗设备:用于图像处理、监测设备中,确保高精度数据的即时处理。 6. 嵌入式系统:在需要非易失性存储但又追求高速访问的场合,作为程序或数据存储单元。 该SRAM具备低功耗、高速度、宽温度范围等特性,适用于各种严苛环境下的高性能应用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 集成电路 (IC) |
描述 | IC SRAM 8MBIT 12NS 44TSOP |
产品分类 | 存储器 |
品牌 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IS64LV51216-12TLA3 |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
供应商器件封装 | 44-TSOP II |
包装 | 托盘 |
存储器类型 | SRAM - 异步 |
存储容量 | 8M(512K x 16) |
封装/外壳 | 44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) |
工作温度 | -40°C ~ 125°C |
接口 | 并联 |
标准包装 | 135 |
格式-存储器 | RAM |
电压-电源 | 3.135 V ~ 3.6 V |
速度 | 12ns |