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产品简介:
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ISSI(Integrated Silicon Solution Inc)的IS61NLF25636A-7.5TQLI-TR是一款高速异步静态随机存取存储器(SRAM),容量为256K x 36位,采用高性能CMOS工艺制造。该器件广泛应用于对数据存储速度和稳定性要求较高的场景。 主要应用场景包括: 1. 网络与通信设备:如路由器、交换机等,用于高速缓存数据包或临时存储路由表信息,提升系统响应速度。 2. 工业控制与自动化系统:作为控制器或PLC中的快速存储单元,支持实时数据处理与缓存。 3. 测试测量仪器:用于示波器、逻辑分析仪等设备中,提供高速数据采集与临时存储。 4. 汽车电子系统:在高级驾驶辅助系统(ADAS)或车载信息娱乐系统中,用于需要快速访问的数据存储。 5. 医疗设备:如影像设备或诊断仪器,用于图像数据的快速缓存与处理。 该SRAM具备低功耗特性,适用于宽温范围,封装形式为TQFP,适合嵌入式系统设计。由于其高速访问时间和高可靠性,特别适合于需要高性能缓存或主存储器的应用场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | 集成电路 (IC) |
描述 | IC SRAM 9MBIT 117MHZ 100TQFP |
产品分类 | 存储器 |
品牌 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IS61NLF25636A-7.5TQLI-TR |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
供应商器件封装 | 100-TQFP(14x20) |
包装 | 带卷 (TR) |
存储器类型 | SRAM - 同步 |
存储容量 | 9M(256K x 36) |
封装/外壳 | 100-LQFP |
工作温度 | -40°C ~ 85°C |
接口 | 并联 |
标准包装 | 800 |
格式-存储器 | RAM |
电压-电源 | 3.135 V ~ 3.465 V |
速度 | 7.5ns |