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产品简介:
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ISSI(Integrated Silicon Solution Inc)的IS61LF25636A-7.5TQLI-TR是一款高速、低功耗的CMOS静态随机存取存储器(SRAM),容量为256K x 36位,访问时间为7.5ns,采用TQFP封装,符合工业级温度标准(-40℃至+85℃),适用于对性能与稳定性有较高要求的场景。 该芯片主要应用场景包括: 1. 通信设备:用于基站、路由器和交换机中的数据缓存和临时存储,满足高速传输需求; 2. 工业控制:在PLC、自动化控制系统中作为高速缓存,提升处理效率; 3. 网络设备:应用于高性能网络处理器系统,支持快速数据包处理; 4. 测试测量仪器:用于示波器、逻辑分析仪等设备的数据缓冲; 5. 汽车电子:适用于车载信息娱乐系统及辅助驾驶模块,满足车规环境下的稳定运行需求(需确认具体符合AEC-Q标准); 6. 医疗设备:用于高精度医疗成像或监测设备中的临时数据存储。 该SRAM具备高速度、低延迟特性,适合需要快速响应和连续读写操作的应用场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | 集成电路 (IC) |
描述 | IC SRAM 9MBIT 7.5NS 100TQFP |
产品分类 | 存储器 |
品牌 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IS61LF25636A-7.5TQLI-TR |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
供应商器件封装 | 100-TQFP(14x20) |
包装 | 带卷 (TR) |
存储器类型 | SRAM - 同步 |
存储容量 | 9M(256K x 36) |
封装/外壳 | 100-LQFP |
工作温度 | -40°C ~ 85°C |
接口 | 并联 |
标准包装 | 800 |
格式-存储器 | RAM |
电压-电源 | 3.135 V ~ 3.6 V |
速度 | 7.5ns |