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产品简介:
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IS61LF12836A-7.5B2I 是由 ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生产的一款高速异步静态随机存取存储器(SRAM),容量为 128K × 36 位(总容量约 4.6 Mbit),采用 7.5 ns 的访问速度,工作电压为 3.3V,属于高性能低功耗 CMOS SRAM 器件。 该型号主要应用于对数据读写速度和稳定性要求较高的工业与通信领域。典型应用场景包括:网络设备中的高速缓存,如路由器、交换机的数据缓冲;电信基础设施设备,如基站控制单元和传输设备;工业自动化控制系统中的实时数据处理模块;测试与测量仪器中用于临时存储采集数据;以及嵌入式系统中需要快速响应的场景。 由于其高可靠性、宽温支持(工业级温度范围)和抗干扰能力强,IS61LF12836A-7.5B2I 特别适用于严苛环境下的工业应用。此外,该器件封装为 100-pin TQFP,适合高密度电路板设计,广泛用于需要大带宽、低延迟存储解决方案的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 4.5MBIT 7.5NS 119BGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | IS61LF12836A-7.5B2I |
| rohs | 无铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 119-PBGA(14x22) |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步 |
| 存储容量 | 4.5M(128K x 36) |
| 封装/外壳 | 119-BBGA |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 84 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 3.135 V ~ 3.6 V |
| 速度 | 7.5ns |