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产品简介:
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IS43DR16640B-3DBI是ISSI(Integrated Silicon Solution Inc.)推出的一款高速、低功耗的DDR2 SDRAM存储器,主要应用于对性能和稳定性要求较高的嵌入式系统与工业设备中。该型号为64M x 16位结构,容量达1Gbit,采用FBGA封装,工作温度支持工业级(-40°C至+85°C),适合严苛环境下的稳定运行。 典型应用场景包括:工业自动化控制设备(如PLC、HMI)、网络通信设备(如路由器、交换机)、医疗电子设备、视频监控系统以及汽车电子中的信息娱乐系统和驾驶辅助模块。此外,该芯片也广泛用于需要可靠内存支持的消费类电子产品和智能终端设备。 其高数据传输速率(最高支持333MHz时钟频率)、低电压设计(1.8V核心电压)以及良好的抗干扰能力,使其在多任务处理和实时数据存取场景中表现出色。同时,ISSI在工业级存储领域的可靠性保障,进一步提升了该器件在长期运行系统中的适用性。因此,IS43DR16640B-3DBI是一款适用于高性能、高稳定性需求的工业与嵌入式应用的理想DDR2存储解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC DDR2 1GB 333MHZ 84BGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | IS43DR16640B-3DBI |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 84-TWBGA(8x12.5) |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | DDR2 SDRAM |
| 存储容量 | 1G(64M x 16) |
| 封装/外壳 | 84-TFBGA |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 209 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 333MHz |