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产品简介:
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ISSI(Integrated Silicon Solution Inc)的IS43DR16160B-3DBLI-TR是一款高速、低功耗的DRAM存储器芯片,主要应用于对数据处理速度和系统稳定性要求较高的电子设备中。该型号属于异步/同步动态随机存取存储器类别,具有16位数据宽度和较大的存储容量。 其典型应用场景包括: 1. 工业控制设备:如PLC控制器、工业计算机等,用于临时存储运行中的程序与数据; 2. 通信设备:在路由器、交换机或基站模块中作为缓存使用,提升数据传输效率; 3. 医疗仪器:如影像设备或监测系统,用以快速读写大量图像或生理数据; 4. 汽车电子:车载信息娱乐系统、驾驶辅助系统等需稳定存储解决方案的场合; 5. 消费类电子产品:例如高端游戏机、智能电视等,支持图形和多媒体数据的高效处理; 6. 测试测量仪器:示波器、逻辑分析仪等设备中用于高速数据采集与暂存。 该芯片具备宽温工作范围(通常为-40℃至+85℃),适合工业级应用环境,并采用小型封装,便于集成到各种紧凑型设计中。
参数 | 数值 |
产品目录 | 集成电路 (IC) |
描述 | IC DDR2 256M 333MHZ 84BGA |
产品分类 | 存储器 |
品牌 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IS43DR16160B-3DBLI-TR |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
供应商器件封装 | 84-TWBGA(8x12.5) |
包装 | 带卷 (TR) |
存储器类型 | DDR2 SDRAM |
存储容量 | 256M (16M x 16) |
封装/外壳 | 84-TFBGA |
工作温度 | -40°C ~ 85°C |
接口 | 并联 |
标准包装 | 2,500 |
格式-存储器 | RAM |
电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
速度 | 333MHz |