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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IS42VM16320E-6BLI-TR由ISSI设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IS42VM16320E-6BLI-TR价格参考。ISSIIS42VM16320E-6BLI-TR封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IS42VM16320E-6BLI-TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IS42VM16320E-6BLI-TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ISSI(Integrated Silicon Solution Inc)的IS42VM16320E-6BLI-TR是一款低功耗、高性能的32兆位(32M)伪静态随机存取存储器(PSRAM),具有32位数据总线,适用于需要大容量缓存和临时数据存储的应用场景。该器件结合了SRAM接口与DRAM内核的优势,提供类似SRAM的操作便利性和接近DRAM的高密度特性。 主要应用场景包括: 1. 工业控制设备:如PLC、人机界面(HMI)等,用于高速缓存或图形缓冲区; 2. 网络通信设备:用于路由器、交换机等设备中的数据包缓存; 3. 汽车电子系统:如车载信息娱乐系统(IVI)、高级驾驶辅助系统(ADAS)中作为图像或传感器数据缓存; 4. 医疗设备:用于便携式诊断设备、监护仪等对功耗敏感且需要较大缓存的应用; 5. 消费类电子产品:如智能家电、穿戴设备、AR/VR设备等,支持图形处理和实时数据存储需求。 该芯片采用BGA封装,工作温度范围宽(-40°C至+85°C),适合在多种工业及恶劣环境下稳定运行。
参数 | 数值 |
产品目录 | 集成电路 (IC) |
描述 | IC SDRAM 512M 166MHZ 54BGA |
产品分类 | 存储器 |
品牌 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IS42VM16320E-6BLI-TR |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
供应商器件封装 | 54-TFBGA(8x8) |
包装 | 带卷 (TR) |
存储器类型 | 移动 SDRAM |
存储容量 | 512M (32M x 16) |
封装/外壳 | 54-TFBGA |
工作温度 | -40°C ~ 85°C |
接口 | 并联 |
标准包装 | 2,500 |
格式-存储器 | RAM |
电压-电源 | 1.7 V ~ 1.95 V |
速度 | 166MHz |