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产品简介:
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ISSI(Integrated Silicon Solution Inc)的IS41C16256C-35TLI-TR是一款高速静态随机存取存储器(SRAM),容量为256K x 16位,访问时间为35ns,采用CMOS工艺制造,适用于对数据存储速度和稳定性要求较高的场景。 该型号SRAM广泛应用于以下领域: 1. 工业控制设备:如PLC(可编程逻辑控制器)、工控机等,用于高速缓存和临时数据存储; 2. 网络通信设备:如路由器、交换机等,用于快速存储和转发数据包信息; 3. 医疗设备:如影像处理系统和诊断设备,用于高速图像数据的缓存; 4. 汽车电子:如车载导航、高级驾驶辅助系统(ADAS),用于实时数据处理与存储; 5. 测试与测量仪器:如示波器、逻辑分析仪等,用于高速数据采集和处理; 6. 消费类电子产品:部分高性能音频/视频处理设备中也有应用。 该SRAM具备低功耗、高速访问和宽温工作范围(工业级温度范围),适合在严苛环境下稳定工作,是一款性能可靠的通用型存储器解决方案。
参数 | 数值 |
产品目录 | 集成电路 (IC) |
描述 | IC DRAM 4M 35NS 40TSOP |
产品分类 | 存储器 |
品牌 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IS41C16256C-35TLI-TR |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
供应商器件封装 | 40-TSOP |
包装 | 带卷 (TR) |
存储器类型 | DRAM - EDO |
存储容量 | 4M (256K x 16) |
封装/外壳 | 44-TSOP(0.400",10.16mm 宽),40 引线 |
工作温度 | -40°C ~ 85°C |
接口 | 并联 |
标准包装 | 1,000 |
格式-存储器 | RAM |
电压-电源 | 4.5 V ~ 5.5 V |
速度 | 35ns |