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详细数据请看参考数据手册
- 型号： IRLR8259PBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLR8259PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLR8259PBF价格参考。International RectifierIRLR8259PBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRLR8259PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRLR8259PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRLR8259PBF 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的高性能N沟道增强型功率MOSFET，采用DPAK（TO-252）表面贴装封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 3.2 mΩ @ VGS = 10 V）、高电流能力（ID = 120 A，脉冲）、快速开关特性及优异的热性能。其典型应用场景包括： - DC-DC电源转换：广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流BUCK转换器，提升效率并降低温升； - 电机驱动：适用于中小功率无刷直流（BLDC）电机控制器、电动工具、风扇及泵类驱动电路，支持高频PWM调速； - 负载开关与电源管理：在笔记本电脑、嵌入式系统中用作高效主电源开关或热插拔保护器件； - 电池管理系统（BMS）：用于电池充放电回路的高侧/低侧开关，配合保护IC实现过流、短路防护； - LED照明驱动：在大功率LED恒流驱动电路中作为开关管，支持高频率调光（如PWM调光）。 该器件具备AEC-Q101可靠性认证（部分批次），亦适用于对可靠性要求较高的车载辅助系统（如车窗升降、座椅调节等非安全关键应用）。其低栅极电荷（Qg ≈ 47 nC）和优化体二极管特性，有助于减小开关损耗与反向恢复问题，适合中高频（≤500 kHz）硬开关应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 57A DPAKMOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 8.7mOhms 6.8nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 57 A |
| Id-连续漏极电流 | 57 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLR8259PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRLR8259PBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 48 W |
| Pd-功率耗散 | 48 W |
| Qg-GateCharge | 6.8 nC |
| Qg-栅极电荷 | 6.8 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 12.9 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 12.9 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 25 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.35 V to 2.35 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.35 V to 2.35 V |
| 上升时间 | 38 ns |
| 下降时间 | 8.9 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.35V @ 25µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 900pF @ 13V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8.7 毫欧 @ 21A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 典型关闭延迟时间 | 9.1 ns |
| 功率-最大值 | 48W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 75 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 75 |
| 正向跨导-最小值 | 55 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 57A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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