图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： IRLI610ATU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLI610ATU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLI610ATU价格参考。Fairchild SemiconductorIRLI610ATU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRLI610ATU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRLI610ATU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRLI610ATU 是 Vishay（威世）推出的逻辑电平 N 沟道增强型 MOSFET，采用超小型 TO-252AA（DPAK）表面贴装封装，具有低导通电阻（Rds(on) 典型值 0.4Ω @ Vgs=10V，0.6Ω @ Vgs=5V）、快速开关特性及1A连续漏极电流能力。 其典型应用场景包括： ✅ 低压直流电源管理：如便携式设备（POS机、手持终端、蓝牙音箱）中的电池供电侧负载开关或电源路径控制； ✅ LED 驱动电路：用于中小功率 LED 的恒流/开关调光控制，尤其适合需5V逻辑直接驱动的场合（无需额外驱动IC）； ✅ 电机控制模块：驱动微型直流电机（如风扇、小泵）或步进电机的单相H桥低端开关； ✅ 工业与消费类嵌入式系统：PLC I/O扩展板、智能电表、家电控制板中作为继电器替代方案，实现低功耗、长寿命的电子开关功能； ✅ DC-DC 转换器同步整流：在降压（Buck）拓扑中作同步整流管，提升效率（适用于中低功率、空间受限设计）。 该器件具备雪崩耐受能力、100% Rg测试及无铅合规，适用于对尺寸、能效和驱动简易性要求较高的中低功率开关应用。注意：实际使用时需确保PCB散热设计合理，避免持续高功耗下结温超标。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 3.3A I2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | IRLI610ATU |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 240pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 9nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.5 欧姆 @ 1.65A，5V |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 功率-最大值 | 3.1W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.3A （Tc） |
推荐商品
(SN).jpg)
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
IRLI610ATU 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商