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产品简介:
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IRL6297SDTRPBF 是英飞凌(Infineon Technologies)推出的双通道逻辑电平N沟道MOSFET阵列,采用SO-8封装,具有低导通电阻(Rds(on)典型值仅15 mΩ @ Vgs=4.5V)、高电流能力(连续漏极电流ID达12A/通道)、快速开关特性及增强型ESD防护。其典型应用场景包括: 1. DC-DC电源转换:广泛用于多相降压转换器、POL(Point-of-Load)模块中,驱动同步整流,提升效率(尤其在12V输入转3.3V/5V等低压大电流场景); 2. 电机驱动与负载控制:适用于小型直流电机、步进电机的H桥或半桥驱动,以及LED背光/RGB灯条的PWM调光控制; 3. 热插拔与电源管理:集成于服务器、通信设备的板级电源管理单元(PMU),实现负载开关、浪涌电流抑制和过流保护; 4. 电池供电系统:因支持3.3V/5V逻辑直接驱动,常用于便携式设备(如POS终端、工业手持终端)中的电池充放电路径控制与电源路径管理; 5. 工业自动化I/O模块:作为固态继电器(SSR)替代方案,驱动电磁阀、小功率执行器等感性负载。 该器件具备双通道独立控制、低栅极电荷(Qg≈15nC)和优良的热性能,适合空间受限、高能效要求的中功率开关应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 58A DIRECTFET |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | IRL6297SDTRPBF |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.1V @ 35µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2245pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 54nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 4.9 毫欧 @ 15A, 4.5V |
| 供应商器件封装 | DIRECTFET™ SA |
| 功率-最大值 | 1.7W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | DirectFET™ 等容 SA |
| 标准包装 | 4,800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 15A (Ta), 58A (Tc) |