Datasheet下载- 型号： IRL6283MTRPBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRL6283MTRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRL6283MTRPBF价格参考。International RectifierIRL6283MTRPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRL6283MTRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRL6283MTRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRL6283MTRPBF 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的逻辑电平N沟道增强型MOSFET，采用D²PAK（TO-263）封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 4.5 mΩ @ VGS = 10 V；典型值约 5.8 mΩ @ 4.5 V）、高连续漏极电流（ID = 120 A，TC = 25°C）及快速开关特性。其逻辑电平驱动能力（VGS(th) 低至1.0–2.0 V）使其可直接由3.3 V或5 V MCU、DSP或驱动IC控制，无需额外电平转换或栅极驱动器。 典型应用场景包括： ✅ 高效DC-DC电源：用于同步整流BUCK转换器的下管（low-side switch），提升服务器/通信电源、工业电源模块的转换效率与功率密度； ✅ 电机驱动：适用于中小功率直流无刷电机（BLDC）或步进电机的H桥下臂开关，如电动工具、家用电器、自动化设备中的PWM调速电路； ✅ 电池管理系统（BMS）：作为电池保护电路中的充/放电主控开关或均衡开关，利用其低RDS(on)减小功耗与温升； ✅ LED照明驱动：在高电流LED恒流驱动或调光电路中作PWM开关元件； ✅ 热插拔与电子保险丝：配合电流检测电路实现过流保护与软启动功能。 该器件具备强抗雪崩能力（UIS额定）、符合RoHS标准，并通过AEC-Q101可靠性认证（部分批次），亦适用于部分车规级辅助系统（如车身控制模块）。需注意PCB散热设计——D²PAK封装需大面积铜箔及过孔散热以维持性能与寿命。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 211A DIRECTFETMOSFET MOSFET N-CH 20V 211A DIRECTFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 211 A |
| Id-连续漏极电流 | 211 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRL6283MTRPBFHEXFET®， StrongIRFET™ |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRL6283MTRPBF |
| PCN其它 | |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 63 W |
| Pd-功率耗散 | 63 W |
| Qg-GateCharge | 105 nC |
| Qg-栅极电荷 | 105 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 500 uOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 500 uOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 0.8 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 0.8 V |
| 上升时间 | 160 ns |
| 下降时间 | 192 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.1V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 8292pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 158nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 0.75 毫欧 @ 50A， 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | DIRECTFET™ MD |
| 其它名称 | IRL6283MTRPBFDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 116 ns |
| 功率-最大值 | 2.1W |
| 功率耗散 | 63 W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | International Rectifier |
| 商标名 | Directfet |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 500 uOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | DirectFET™ Isometric MD |
| 封装/箱体 | DirectFET-8 MD |
| 工厂包装数量 | 4800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 栅极电荷Qg | 105 nC |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 320 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 20 V |
| 漏极连续电流 | 211 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 38A （Ta）， 211A （Tc） |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 12 V |
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